國家科學及技術委員會徵求2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫(ACED Fab Program)」校內截止日112年1月10日

主旨: 國科會與美國國家科學基金會(NSF)共同徵求2023-2026 年「臺美先進半導體晶片設計與製作合作研究計畫(ACED Fab Program)」,自即日起至2023年1月17日受理申請,請於截止日前完成線上申請並造冊函送本會,逾期不予受理,請查照轉知。

說明:

一、 為鼓勵臺美雙方學者在半導體及微電子領域之學術合作,並培育晶片設計實作人才,本會與美方(NSF)依2022年8月22日簽署合作備忘錄及執行協議,共同徵求旨揭計畫,申請方式詳如附件公告徵件說明及本會網頁「計畫徵求專區」。

二、 本申請案須由臺灣與美國雙方計畫主持人合作研議計畫內容後,分別向本會及美國NSF於申請截止期限內提出申請始得成案。

三、 為使更多半導體領域之學者專家參與本次共同徵件,本會與美方NSF將於11月15日及23日共同舉辦「臺美先進系統晶片設計(ACED Fab)學術研討會(線上會議)」,鏈結臺美半導體領域學者互動交流,歡迎有興趣學者線上參與。

四、 本案聯絡人:

(一) 相關計畫內容疑問,請洽本會科國處李蕙瑩研究員,電話:(02)2737-7150。

(二) 有關系統操作問題,請洽本會資訊系統服務專線,電話:0800-212-058及(02)2737-7590、7591、7592。

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